[00003961]一种纳米薄膜忆阻器及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种纳米薄膜忆阻器，包括衬底，所述的衬底之上依次为下电极、记忆存储层、上电极；记忆存储层从下至上依次为氧化铝薄膜、氧化铪/氧化锌或者氧化铪/氧化铝耦合双层薄膜；本发明还公开了忆阻器的制备方法，利用等离子增强原子层沉积首先制备下电极氮化钛；采用采用原子层沉积技术，在下电极氮化钛层上依次沉积生长记忆存储层；采用直流溅射、物理气相沉积或者光刻的方法形成忆阻器的上电极；本发明的忆阻器结构在脉冲电压作用下，表现出优异的模拟神经突触的学习与记忆功能；同时具备多态存储功能和模拟神经突触的能力，制造工艺简单、可靠，而且可以实现高深宽比的台阶覆盖率，便于大规模工业生产制造。
