[00003966]一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器及制备
技术详细介绍
一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器，以重参杂的p型硅为衬底，生长50‑250nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上通过热蒸镀的方法制备一层20‑50nm的金作为栅极，然后在栅极上旋涂一层铁电聚合物材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)，在P(VDF‑TrFE)上利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法分别生长一层超薄的厚度2‑10nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和厚度5‑10nm的二辛基苯并噻吩苯并噻吩半导体层(C8‑BTBT)，其中钝化层PMMA在二维半导体层C8‑BTBT下面，在半导体层上蒸镀金作为源极和漏极，制备成底栅顶接触结构的二维有机分子半导体铁电晶体管存储器。
