[00300199]6英寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆
技术详细介绍
基于DUV光刻工艺和干法刻蚀工艺的晶圆级光子芯片工艺技术，并结合光波导结构设计制备低损耗薄膜铌酸锂光波导，调制带宽＞110GHz、插入损耗＜3.5dB、波导损耗＜0.2dB/cm、调制效率达到1.9 V·cm，实现6/8寸薄膜铌酸锂光子芯片中试量产，为移动空天地一体网络提供光子算力基座。
【是否有意愿在安徽落地转化】：否
【期望参展板块】：未来产业培育展区/量子科技
【技术水平】：国内先进
【展示方式】：实物
【成果编码】：2026D0837
【单位性质】：企业
【统一社会信用代码】：12320211MB1N25331C
【成果领域】：量子科技
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：中试
【服务诉求】：验证与中试
【展品联系人】：林雪青
【展品联系人手机号】：17317637080
【展品长度】：1
【展品宽度】：1
【展品高度】：1
【展品重量】：0.1
【实物确认】：是
【是否有意愿在安徽落地转化】：否
【期望参展板块】：未来产业培育展区/量子科技
【技术水平】：国内先进
【展示方式】：实物
【成果编码】：2026D0837
【单位性质】：企业
【统一社会信用代码】：12320211MB1N25331C
【成果领域】：量子科技
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：中试
【服务诉求】：验证与中试
【展品联系人】：林雪青
【展品联系人手机号】：17317637080
【展品长度】：1
【展品宽度】：1
【展品高度】：1
【展品重量】：0.1
【实物确认】：是
