[00300679]深沟槽刻蚀设备、AI-PCB等离子处理设备
技术详细介绍
珠海恒格晶圆级“等离子多驱解离刻蚀设备”，设备突破了多项“卡脖子技术难题，具备高效率、高均匀性、高兼容性的特点，可广泛应用于集成电路、第三代半导体及先进封装领域，适配8英寸至12英寸晶圆制造需求。其核心工艺指标达到国际先进水平，填补了国内高端刻蚀设备空白；实现 PCB(Plasma+PTH)制作流程全线自动化 颠覆性创新，以干法取代湿法除胶，取消PTH线的Desmear部分或全部产线段 实现PTH Desmear线除胶渣废水&高COD零排放，用水零消耗 降低品质风险(二氧化锰对PTHVoid的影响)，特殊材料Hold Time Control
【是否是首展首发】：国内首发
【是否有意愿在安徽落地转化】：是
【期望参展板块】：新兴产业壮大展区/新一代信息技术（含集成电路）
【技术水平】：国际先进
【展示方式】：模型
【成果编码】：2026D1238
【单位性质】：企业
【企业类别】：专精特新“小巨人“企业,专精特新中小企业,高新技术企业
【统一社会信用代码】：9144040078203452XC
【意愿落地城市】：合肥市,蚌埠市
【成果领域】：新一代信息技术(含集成电路)
【荣誉与获奖】：入选2025年首批工信部先进技术适用性名单
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：量产推广
【已应用场景】：1. 集成电路制造 (IC Manufacturing) 适用晶圆尺寸：适配 8英寸至12英寸 的晶圆制造需求。 工艺环节：用于芯片制造过程中的关键刻蚀步骤，能够处理高精度的图形转移，满足逻辑芯片和存储芯片的制造要求。 特点：具备高效率、高均匀性和高兼容性，旨在替代进口设备，解决“卡脖子”问题。 2. 第三代半导体 (Third-Generation Semiconductors) 材料应用：适用于碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体材料的刻蚀加工。 意义：第三代半导体对刻蚀工艺有特殊要求（如高硬度材料难以刻蚀），该设备的多驱解离技术有助于提升此类材料的加工效率和质量，服务于功率器件、射频器件等领域。
【潜在应用场景】： 先进封装 (Advanced Packaging) 应用场景：用于晶圆级封装、系统级封装 (SiP) 等先进封装技术中的刻蚀工艺。 具体案例：TGV (Through Glass Via, 玻璃通孔)
【服务诉求】：落地产业化
【金融诉求】：PE投资
【人才诉求】：机械、电子、智能化装备
【展品联系人】：邢浩永
【展品联系人手机号】：18255270010
【展品长度】：100
【展品宽度】：70
【展品高度】：60
【展品重量】：15
【实物确认】：是
【参展状态】：线下+线上参展
【用户回复】：是
【是否是首展首发】：国内首发
【是否有意愿在安徽落地转化】：是
【期望参展板块】：新兴产业壮大展区/新一代信息技术（含集成电路）
【技术水平】：国际先进
【展示方式】：模型
【成果编码】：2026D1238
【单位性质】：企业
【企业类别】：专精特新“小巨人“企业,专精特新中小企业,高新技术企业
【统一社会信用代码】：9144040078203452XC
【意愿落地城市】：合肥市,蚌埠市
【成果领域】：新一代信息技术(含集成电路)
【荣誉与获奖】：入选2025年首批工信部先进技术适用性名单
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：量产推广
【已应用场景】：1. 集成电路制造 (IC Manufacturing) 适用晶圆尺寸：适配 8英寸至12英寸 的晶圆制造需求。 工艺环节：用于芯片制造过程中的关键刻蚀步骤，能够处理高精度的图形转移，满足逻辑芯片和存储芯片的制造要求。 特点：具备高效率、高均匀性和高兼容性，旨在替代进口设备，解决“卡脖子”问题。 2. 第三代半导体 (Third-Generation Semiconductors) 材料应用：适用于碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体材料的刻蚀加工。 意义：第三代半导体对刻蚀工艺有特殊要求（如高硬度材料难以刻蚀），该设备的多驱解离技术有助于提升此类材料的加工效率和质量，服务于功率器件、射频器件等领域。
【潜在应用场景】： 先进封装 (Advanced Packaging) 应用场景：用于晶圆级封装、系统级封装 (SiP) 等先进封装技术中的刻蚀工艺。 具体案例：TGV (Through Glass Via, 玻璃通孔)
【服务诉求】：落地产业化
【金融诉求】：PE投资
【人才诉求】：机械、电子、智能化装备
【展品联系人】：邢浩永
【展品联系人手机号】：18255270010
【展品长度】：100
【展品宽度】：70
【展品高度】：60
【展品重量】：15
【实物确认】：是
【参展状态】：线下+线上参展
【用户回复】：是
