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[00301237]面向未来芯片的超滑生长革命:低维碳材料与器件技术

交易价格: 面议

所属行业: 检测仪器

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华黎明

进入空间

所在地: 上海市上海市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

开创原位封装新范式,创石墨烯纳米带性能世界纪录。开创原子层间滑移原位封装生长新范式,突破了高质量半导体性石墨烯纳米带的制备瓶颈。该技术实现了超长、超窄的石墨烯纳米带在六方氮化硼(h-BN)层间的嵌入式生长,形成了独特的“原位封装”结构。此结构有效隔绝了环境干扰,保护了纳米带的本征特性。基于此制备的场效应晶体管在室温下展现出国际最高性能,载流子迁移率高达4,600 cm²V⁻¹s⁻¹,开关比达10⁶。该成果发表于2024年《Nature》期刊,并被《中国科学报》头版头条报道。 2、实现手性一致碳纳米管阵列,攻克领域关键难题。首创“滑移自组装”生长技术,攻克了诺贝尔奖得主Smalley教授在2001年提出的碳纳米管制备领域难题之一。该技术利用h-BN原子级平整且超润滑的表面,使得生长出的碳纳米管可自由滑动并自组装,在国际上首次直接生长出由单一手性半导体性碳纳米管平行、紧密排列形成的范德华晶体。基于此阵列构建的晶体管性能卓越,载流子迁移率接近2,000 cm²V⁻¹s⁻¹,开关比达10⁷,电流承载能力大于6.5 mA/μm,优于国际半导体技术路线图对未来硅基电路的预期指标。

【成果编码】20264312

【单位性质】高校

【统一社会信用代码】1210000042500615X0

【是否有意愿在安徽落地转化】否

【期望参展板块】专题互动展区/重点高校

【技术水平】国内领先

【是否有自主知识产权】是

【项目阶段】重大理论突破

【展品联系人】华黎明

【展品联系人手机号】13916545390

【展示方式】展板

【实物确认】否

【状态】已审核,待遴选

【参展状态】线下+线上参展

【用户回复】是

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