[00301311]6英寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆
技术详细介绍
基于DUV光刻工艺和干法刻蚀工艺的晶圆级光子芯片工艺技术，并结合光波导结构设计制备低损耗薄膜铌酸锂光波导，调制带宽＞110GHz、插入损耗＜3.5dB、波导损耗＜0.2dB/cm、调制效率达到1.9 V·cm，实现6/8寸薄膜铌酸锂光子芯片4量产，为移动空天地一体网络提供光子算力基座。
【成果编码】20260837
【单位性质】科研院所
【统一社会信用代码】12320211MB1N25331C
【是否有意愿在安徽落地转化】否
【期望参展板块】未来产业培育展区/量子科技
【技术水平】国内先进
【是否有自主知识产权】是
【项目阶段】中试
【服务诉求】验证与4
【展品联系人】林雪青
【展品联系人手机号】17317637080
【展示方式】实物
【展品长度】10
【展品宽度】10
【展品高度】10
【展品重量】0.1
【实物确认】是
【状态】已审核，待遴选
【参展状态】线下+线上参展
【用户回复】是
【成果编码】20260837
【单位性质】科研院所
【统一社会信用代码】12320211MB1N25331C
【是否有意愿在安徽落地转化】否
【期望参展板块】未来产业培育展区/量子科技
【技术水平】国内先进
【是否有自主知识产权】是
【项目阶段】中试
【服务诉求】验证与4
【展品联系人】林雪青
【展品联系人手机号】17317637080
【展示方式】实物
【展品长度】10
【展品宽度】10
【展品高度】10
【展品重量】0.1
【实物确认】是
【状态】已审核，待遴选
【参展状态】线下+线上参展
【用户回复】是
