[00301672]抗单粒子辐射SiC平面栅MOSFET芯片

相比于传统硅（Si）材料，第三代半导体碳化硅（SiC）具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度以及高热导率等优良的物理和电学特性。其中宽禁带特点带来更高的临界位移能和更低的本征载流子浓度，因此SiC基功率芯片具有优异的抗辐射特性，在航空航天领域有着广阔的应用价值。 具体的，SiC基功率芯片可应用于航天器配电系统和电推进系统，能显著提高系统可靠性，简化散热设备体积和重量，降低发射成本并增加装载容量。在宇宙空间的高辐射环境下，需要重点解决以单粒子效应为代表的辐射损伤问题，提升SiC功率芯片的抗单粒子能力，即芯片在低阻断电压下发生的单粒子漏电退化等。 本展品为自主设计并研发制造的具有高单粒子可靠性的SiC平面栅MOSFET晶圆级芯片。通过深线性梯度掺杂、裂栅集成NPN结构以及复合缓冲层等多种抗辐射加固设计，在83.5MeV·cm2/mg的Ta离子辐射下，将芯片的漏电退化阈值从250V提升至350V，提高幅度约40%，是迄今为止报道的高压SiC平面栅MOSFET的最佳性能。本单位所研制的1200V该系列SiC抗辐射芯片已搭载天舟六号货运飞船进入空间站，进行空间搭载试验验证。截至目前，已在低轨道卫星上正常工作一年，芯片性能未发生退化。

【是否是首展首发】：否

【是否有意愿在安徽落地转化】：是

【期望参展板块】：科技服务业展区(除科技金融）

【技术水平】：国际先进

【展示方式】：实物

【成果编码】：线下补报

【单位性质】：科研院所

【统一社会信用代码】：12340200MB1431478J

【意愿落地城市】：芜湖

【成果领域】：新一代半导体

【荣誉与获奖】：无

【是否有自主知识产权】：是

【项目阶段】：工程样机/样品

【已应用场景】：航天器配电系统和电推进系统

【潜在应用场景】：太空探测器、卫星电子系统等

【合作诉求】：合作开发

【服务诉求】：验证与中试

【对接倾向】：企业

【金融诉求】：VC投资

【人才诉求】：无

【展品联系人】：韩超

【展品长度】：15

【展品宽度】：15

【展品重量】：0.1

【参展要求】：暂无

【实物确认】：是