[00301980]具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法
技术详细介绍
本专利提供了一种具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法，由上选择管和下选择管及中间的存储单元组成三维结构，且所有的晶体管均为竖直结构，与水平晶体管相比竖直晶体管的布局面积更小，从而可以提高RRAM的集成密度，进一步降低成本。 产业化前景：可深度适配高密度存储、存算一体芯片电路场景，在智能终端存储模块、数据中心高容量存储设备、高性能计算芯片等领域具备明确产业化落地路径，市场需求规模大，转化应用潜力显著。 合作意向：本专利可以专利许可、转让、作价入股等多种方式开展合作。
【是否是首展首发】：国内首发
【是否有意愿在安徽落地转化】：是
【期望参展板块】：专题互动展区/重点高校
【技术水平】：国际领先
【展示方式】：展板
【成果编码】：2026D3649
【单位性质】：高校
【统一社会信用代码】：12100000400002259P
【意愿落地城市】：合肥市
【成果领域】：新一代信息技术(含集成电路)
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：原理样机/样品
【合作诉求】：技术转让
【展品联系人】：杨松尧
【是否是首展首发】：国内首发
【是否有意愿在安徽落地转化】：是
【期望参展板块】：专题互动展区/重点高校
【技术水平】：国际领先
【展示方式】：展板
【成果编码】：2026D3649
【单位性质】：高校
【统一社会信用代码】：12100000400002259P
【意愿落地城市】：合肥市
【成果领域】：新一代信息技术(含集成电路)
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：原理样机/样品
【合作诉求】：技术转让
【展品联系人】：杨松尧
