[00302392]低温单晶AlScN薄膜沉积设备
技术详细介绍
打破国外技术垄断填补国内行业空白。 本项目由由河北大学、西安电子科技大学、雄安国科华芯半导体科技有限公司研发。 单晶AlScN薄膜沉积设备及工艺是实现高性能HEMT的关键，而HEMT将是5G/6G基站射频功率放大器的首选技术。当前MOCVD设备不能直接制备AlScN单晶薄膜，且蒸发速率较低；MBE设备成本昂贵，运营成本高，生产速度慢。本项目首创双回路磁控和脉冲激光共沉积技术，并引入辅助能量源，精确控制沉积粒子的动能和方向，实现了低温（≤350℃）单晶AlScN薄膜的外延生长。打破国外封锁，助力AlScN薄膜下游器件的发展。
【是否有意愿在安徽落地转化】：否
【期望参展板块】：专题互动展区/京津冀国家技术创新中心
【技术水平】：国际先进
【展示方式】：模型
【成果编码】：2026D4252
【单位性质】：其他
【企业类别】：科技领军企业
【统一社会信用代码】：52110000MMJ015149XD
【成果领域】：新一代信息技术(含集成电路)
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：工程样机/样品
【展品联系人】：潘玉
【展品长度】：5
【展品宽度】：5
【展品高度】：1
【展品重量】：1
【实物确认】：是
【是否有意愿在安徽落地转化】：否
【期望参展板块】：专题互动展区/京津冀国家技术创新中心
【技术水平】：国际先进
【展示方式】：模型
【成果编码】：2026D4252
【单位性质】：其他
【企业类别】：科技领军企业
【统一社会信用代码】：52110000MMJ015149XD
【成果领域】：新一代信息技术(含集成电路)
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：工程样机/样品
【展品联系人】：潘玉
【展品长度】：5
【展品宽度】：5
【展品高度】：1
【展品重量】：1
【实物确认】：是
