[00302442]硅基IGBT芯片：3300V22A
技术详细介绍
基于6寸衬底设计制造，采用定制高规格电阻率单晶衬底，单芯片耐压超3800V，额定电流超22A，极限出流90A 5ms，针对特殊高压工况，对晶圆背面做特殊设计，提高动态雪崩能力，该产品应用于医疗EDA产品，且目前已通过客户段极限测试
【是否是首展首发】：国内首发
【是否有意愿在安徽落地转化】：是
【期望参展板块】：专题互动展区/“双招双引”
【技术水平】：国际领先
【展示方式】：实物
【成果编码】：2026D2520
【单位性质】：企业
【企业类别】：科技型中小企业
【统一社会信用代码】：91341324MAE5JB8B1A
【意愿落地城市】：宿州市
【成果领域】：新一代信息技术(含集成电路)
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：小批生产
【展品联系人】：吴若菲
【展品长度】：15
【展品宽度】：15
【展品高度】：15
【展品重量】：0.03
【实物确认】：是
【是否是首展首发】：国内首发
【是否有意愿在安徽落地转化】：是
【期望参展板块】：专题互动展区/“双招双引”
【技术水平】：国际领先
【展示方式】：实物
【成果编码】：2026D2520
【单位性质】：企业
【企业类别】：科技型中小企业
【统一社会信用代码】：91341324MAE5JB8B1A
【意愿落地城市】：宿州市
【成果领域】：新一代信息技术(含集成电路)
【是否有自主知识产权】：是
【项目阶段】：小批生产
【展品联系人】：吴若菲
【展品长度】：15
【展品宽度】：15
【展品高度】：15
【展品重量】：0.03
【实物确认】：是
