[00031914]通讯 InGaAs/InP PIN 光电探测器芯片

一、项目简介 特点： 1．暗电流低。利用异质结分离效应，光敏直径 75 微米芯片的暗电流可达到 0.1nA。 2．光响应度高。1310nm 达 0.85～0.90 A/W,1550nm 达 0.95～1.05 A/W。 3．频率高。光敏直径 75 微米芯片的截止频率为 2.5GHz 以上。 4．性能可靠。采用氧化铝为钝化掩膜，芯片性能在 10 年以上。 5．制造成本低。采用开管锌扩散工艺，大大节省了成本和时间。 主要技术指标： InGaAs/InP PIN 光电探测器芯片（以光敏直径 75 微米为例）的主要参数： 工作波长：1.30～1.55 微米; 工作电压：－5 伏 响应度：0.85～1.05A/W（在 1.31～1.55 微米）; 暗电流：～0.5nA（10-9 安培） 响应时间：80～120ps （皮秒）; 总电容：1.1pF （VR= -5V, f = 1MHz） 反向击穿电压：≥ 20 伏; 工作寿命：～100 万小时。 二、技术成熟程度 本芯片制造技术已经逐渐成熟，完成了实验室小试、中试，工业化试生产，以及小批量 供应国内外用户使用得到好评。正在进行专利申请，制定产品的企业标准，并进行项目鉴定。 三、应用范围 光电探测器是将光信号转换为电信号的主要器件，广泛应用在光纤通信网络的光交换机、 光接收端机、中继站，移动通信网络的光直放站，计算机网络中的光纤收发器、光纤网卡、 光交换机、光集线器，有线电视网络的光接收机、光工作站、中继站等设备中和半导体激光 器稳定驱动电路中。总之，只要有光和光纤的地方就需要有光电探测器。 四、投产条件和预期经济效益 投产条件： 1、作伙伴最好是半导体器件厂家，已经具有平面工艺生产线设备。 2、投产资金：600～1000 万元（含设备和流动资金，不含土建）。 预期经济效益： 成本预算： 国产 2 英寸 InGaAs/InP 外延片约 6000 元/片，进口约 8000～12000 元/片。 芯片工艺成本约 1000 元/片。 芯片产值预计： 每个外延片约有 8100 个管芯，按成品率 75%计算，可产管芯 6000 只。以最常见的光 敏直径 75 微米芯片为例，最低单价管芯 1.5 美元/只。一片 2 英寸外延片可获产值约 7 万元， 利润约 4～5 万元。按设备能力每天至少可生产一片，如果有定单可在 2 年内回收投资。 五、合作方式 技术转让或合作开发