[00036887]一种肖特基结隧穿场效应晶体管
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种肖特基结隧穿场效应晶体管，包括第一栅极、源区、漏区、沟道区、重掺杂pocket区、第一栅介质层、第二栅极和第二栅介质层；本发明在漏区利用金属或金属硅化物代替重掺杂的硅或者其他的半导体材料从而在漏区与沟道接触面形成了一个肖特基接触，由于肖特基势垒的存在使器件沟道区的能带弯曲变得缓慢从而使增大器件的隧穿势垒宽度，并且肖特基势垒的存在有效地调节了器件沟道区和漏区的电场分布，从而降低了肖特基结附近的电场强度，因此肖特基结隧穿晶体管可以有效的抑制短沟道效应，当其特征尺寸缩小到亚10纳米后仍然具有较好的开关特性。
