[00036889]单光子雪崩光电二极管的制作方法
技术详细介绍
摘要：本发明公开了单光子雪崩光电二极管的制作方法。现有单光子雪崩二极管的保护环能够承受的最大偏置电压过低。本发明单光子雪崩光电二极管的制作方法硅基上均匀掺杂p‑衬底，p‑衬底的中心掺杂深n阱层；深n阱层外端掺杂第一p+型半导体层，第一p+型半导体层外侧掺杂p‑阱层；p‑阱层外周掺杂p‑型半导体层；p‑型半导体层外周掺杂n+型半导体层，n+型半导体层外周掺杂第二p+型半导体层；第一p+型半导体层和第二p+型半导体层外端均设置阳极电极，n+型半导体层外端设置阴极电极。本发明使雪崩光电二极管能够承受的最大反向偏置电压达到30.51V。
