[00037863]GaN基LED外延片及其制备方法
联系人： 许恩平
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技术详细介绍
本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、低温缓冲层及p型层，其特点是p型层为空穴浓度为2×10 18 ～6×10 18 cm -3 的掺受主的GaP层。p型层空穴浓度增大，可降低p型层电阻，外加电压下能增加空穴的注入，并使电流扩整更均匀，大大提高LED性能，提高照明效率。
