[00037936]ppn型发光晶体管及其制备方法
联系人： 许恩平
所在地： 广东广州市
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技术详细介绍
本发明涉及一种基于III-V族化合物或者II-VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管，包括衬底、缓冲层、n型布拉格反射层、n型电子发射层、发射电极、多量子阱有源发光层、窄带隙p-型基区层，与p-型基区层通过欧姆接触形成的电极、宽带隙p+型集电极层以及与p+型集电极层欧姆接触的电极；本发明还涉及所述ppn型发光晶体管的制备方法；本发明采用了p+型、p-型、n型晶体管结构；具有p-型基极可以控制发光。
