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[00038228]一种电石渣基纳米多孔硅酸钙的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 高分子材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:

专利号:CN201210099055.3

交易方式: 完全转让

联系人:

所在地: 宁夏回族自治区石嘴山

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明公开一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法,原料为高纯度氧化铌粉末,其纯度大于99.99%。其制备过程按以下步骤完成:氧化铌粉末预处理;真空热压;靶材的机械加工。其中,真空热压的工艺条件为:在真空条件下,1150~1300℃保温,2~4h,保压压力10-12MPa。按本发明制备的氧化铌靶材,其密度达到4.50g/cm3以上。

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