[00004432]光敏复合介质栅MOSFET探测器
技术详细介绍
光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
