[00040881]一种GaAs基垂直腔面发射激光器及其制造方法
技术详细介绍
本发明公开了一种GaAs基垂直腔面发射激光器及其制造方法，该激光器自下而上依次由n型电极、GaAs衬底、图形化底部反射镜、n型GaAs、n型AlGaAs、InGaAs/AlGaAs有源层、p型AlGaAs、p型GaAs、透明导电层、顶部反射镜、p型电极构成，所述图形化底部反射镜为圆环结构，所述圆环结构的内径为1μm～30μm，所述圆环结构的外径为3μm～50μm；所述图形化底部反射镜由SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5中的两种材料相互交叠而成。本发明还公开了一种GaAs基垂直腔面发射激光器的制备方法。本激光器具有尺寸大小可控、位错密度低、缺陷少，漏电源低、性能稳定、量子效率高等特点。
