[00040914]一种半导体器件及其制备方法
技术详细介绍
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括衬底；位于所述衬底表面的底电极；位于所述底电极背离所述衬底一侧表面的多铁薄膜；位于所述多铁薄膜背离所述底电极一侧表面的顶电极。通过测试所述半导体器件的I‑V曲线可以发现，所述半导体器件在不同外界电压下均表现出良好的双极阻变效应，最高与最低电阻比值可达102，而且具有很好的可重复性。当外界最大电压为10V时，所述半导体器件的双极阻变效应在重复30次之后仍然非常明显。
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括衬底；位于所述衬底表面的底电极；位于所述底电极背离所述衬底一侧表面的多铁薄膜；位于所述多铁薄膜背离所述底电极一侧表面的顶电极。通过测试所述半导体器件的I‑V曲线可以发现，所述半导体器件在不同外界电压下均表现出良好的双极阻变效应，最高与最低电阻比值可达102，而且具有很好的可重复性。当外界最大电压为10V时，所述半导体器件的双极阻变效应在重复30次之后仍然非常明显。
