[00040915]一种阻变存储器及提高阻变存储器擦写电压稳定性的方法
技术详细介绍
本发明公开了一种提高阻变存储器(RRAM)的擦(RESET)、写(SET)电压稳定性的方法，利用该种方法制备的阻变存储器包括顶电极、底电极，以及制备于该顶电极与该底电极之间的阻变介质层，且该阻变介质层利用多种氧化物制备成多层的复合结构来代替单一氧化物构成的单层结构，由多种氧化物的共同作用，使该阻变介质层中致使导电细丝形成与断开的电压稳定于一个较小的值附近，从而使该阻变存储器的SET电压与RESET电压稳定于一个较小的值附近。较小且稳定的SET电压与RESET电压能够为RRAM器件外围电路的设计降低难度，提高设计效率，同时还可以降低RRAM器件的功耗。
