[00040935]一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜的制备方法及其应用
技术详细介绍
本发明公开了一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜的制备方法及其应用，该方法以无水乙醇为溶剂，十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂，草酸为还原剂,氯化铜水合物为铜源，氯化锌为锌源，氯化亚锡水合物为锡源，硫脲为硫源，配置反应前驱液；将清洗干净的FTO导电玻璃放入高压反应釜内衬中，与器壁成30°角且导电面朝下放置，然后将所配置的反应前驱液倒入反应釜内衬中，密封后将反应釜放入鼓风干燥箱中，恒温反应；反应完成后，FTO导电玻璃衬底上生长了Cu2ZnSnS4薄膜；通过调节十六烷基三甲基溴化铵和硫脲的浓度，合成具有不同纳米结构的Cu2ZnSnS4薄膜；直接制备在FTO导电玻璃上的Cu2ZnSnS4薄膜可以直接用作染料敏化太阳能电池的对电极，也可以用作铜基薄膜太阳能电池的吸收层。
