[00040940]一种整流二极管薄膜器件及其制备方法
技术详细介绍
本发明提供一种整流二极管薄膜器件，包括基底、复合在基底上的氧化物薄膜、设置在基底上的底电极和设置在所述氧化物薄膜上的顶电极；所述氧化物薄膜为Hf0.5Zr0.5O2薄膜。本发明中的Hf0.5Zr0.5O2薄膜器件具有明显的二极管效应，并且与CMOS工艺具有良好的兼容性，有利于开展大规模工艺生产。本发明还提供了一种整流二极管薄膜器件，本发明采用化学溶液沉积法制备Hf0.5Zr0.5O2薄膜，且相对其他二极管制备方法而言，本发明中的薄膜组分容易控制，制备方法简单，制备得到的薄膜器件整流特性明显。
