[00040941]一种肖特基栅场效应晶体管及其制备方法与应用
技术详细介绍
本发明公开一种肖特基栅场效应晶体管的制备方法，该方法首先在衬底上制备二维材料，将光刻胶旋涂在衬底和二维材料上，通过光刻曝光和显影之后，露出源漏电极窗口；镀上金属，洗掉光刻胶，然后在气体氛围中退火，形成源电极和漏电极；继续旋涂光刻胶在整片样品上，通过光刻曝光和显影之后，露出栅电极窗口；再镀上金属，洗掉光刻胶，形成肖特基栅场效应晶体管。该肖特基栅场效应晶体管具有尺寸小、开关比高、迁移率高以及能够很好地消除短沟道效应等优点，能够为拓宽二维材料器件的应用领域。
