[00041723]一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法
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技术详细介绍
摘要:本发明提供了一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。PN交替超结区由P+层与N+层横向间隔交替排列，N+区的中央区内部横向设置有由超结P型柱组成的超结P型柱阵列组。该技术方案缓解了现有技术存在的导通电阻大、饱和电流低的技术问题，有效保证了半导体器件的耐压性能，提高了半导体器件的饱和电流，减小了器件的导通电阻，充分发挥了超结结构的优势，有效利用器件面积，降低了器件的生产成本，改善半导体器件的导通性能。
