联系人: 苏海彬
所在地: 黑龙江哈尔滨市
本发明涉及一种大气等离子体化学平坦化方法及装置,属于机械制造技术领域。本发明为解决现有CMP等全局平坦化方法存在的如加工选择性不高、去除速率不均、清洗困难等问题。方法在大气压下激发等离子体和活性原子,通过活性原子与工件表面原子间的化学反应实现材料的去处,高处形貌的反应速率大于低处形貌的反应速率,从而实现表面的平坦化。装置的水冷电极置于成型电极上方,并共同设置于保持架内,保持架下端面设有放电挡板,保持架与台座间形成气流缓冲间隙,成型电极下端面与水冷吸附工作台上端面间形成放电间隙,射频电源通过阻抗匹配器与电极连接。本发明适用于硅晶圆、碳化硅/蓝宝石衬底、光伏电池薄膜层等的平坦化加工。