[00043216]一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法
技术详细介绍
发明公开了一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法，它是利用磁控溅射技术在基体表面沉积一层纳米级的纯金属或合金过渡层，再利用磁控溅射技术和电弧离子镀技术共同快速沉积一层氮化钛层，之后再利用磁控溅射技术沉积一层纳米级的氮化钛层。本发明利用磁控溅射沉积微细纳米粒子，提高过渡层的结合力；利用电弧离子镀沉积速度快的特点提高效率；利用磁控溅射沉积一层致密的和高质量的纳米级的氮化钛层提高表面质量。
发明公开了一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法，它是利用磁控溅射技术在基体表面沉积一层纳米级的纯金属或合金过渡层，再利用磁控溅射技术和电弧离子镀技术共同快速沉积一层氮化钛层，之后再利用磁控溅射技术沉积一层纳米级的氮化钛层。本发明利用磁控溅射沉积微细纳米粒子，提高过渡层的结合力；利用电弧离子镀沉积速度快的特点提高效率；利用磁控溅射沉积一层致密的和高质量的纳米级的氮化钛层提高表面质量。
