[00043220]一种转移ITO薄膜的方法
技术详细介绍
本发明公开了一种转移ITO薄膜的方法，先在铜箔上采用磁控溅射技术沉积一定厚度的ITO薄膜，然后在ITO薄膜的表面喷涂一定厚度的环氧树脂AB胶，同时将喷涂了环氧树脂AB胶的面与PET膜通过辊压方式进行贴合，并在一定温度下加热一定时间使环氧树脂AB胶固化，最后放入硝酸铁刻蚀液去除铜箔，并用去离子水清洗后烘干，得到转移的ITO薄膜。本发明解决了高温沉积ITO薄膜向柔性衬底的转移，有效提高PET柔性衬底ITO薄膜的光电性能，克服已有技术不能直接通过高温沉积在柔性衬底上实现结晶态，或通过改进沉积工艺或薄膜制备方法的途径对柔性衬底ITO薄膜结晶性能的提升也并不明显的技术问题。
