[00043862]等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410564619.5

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：桂林电子科技大学

进入空间

所在地：广西壮族自治区桂林市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

咨询平台客服试试在线客服吧发布技术需求服务免费，交易还可领红包哦交易系统

技术详细介绍

本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×10¹³cm^-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。

[00043862]等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件

技术详细介绍

推荐服务：