[00043894]一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法
技术详细介绍
本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进行减薄工艺；将石英托连同衬底从减薄玻璃片上取下；匀涂光刻胶并烘片；形成背孔图形；形成背孔；去光刻胶和液态蜡，使衬底片和石英托分离；其中，液态蜡是由一定量的Crystalbond
本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进行减薄工艺；将石英托连同衬底从减薄玻璃片上取下；匀涂光刻胶并烘片；形成背孔图形；形成背孔；去光刻胶和液态蜡，使衬底片和石英托分离；其中，液态蜡是由一定量的Crystalbond
