[00044477]一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610201542.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：桂林电子科技大学

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所在地：广西壮族自治区桂林市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，所述存储器由基底、底电极、聚酰亚胺功能层和顶电极构成。所述制备方法是将合成聚酰亚胺所用的二元胺和二酐单体按1：1-1.03的比例，在酰胺类溶剂中经缩合聚合得到聚酰胺酸溶液，利用旋涂法将聚酰胺酸涂于氧化铟锡玻璃上得到聚酰胺酸薄膜，随后将聚酰胺酸薄膜亚胺化形成聚酰亚胺功能层，在聚酰亚胺功能层上制备顶电极得到聚酰亚胺阻变存储器。该存储器表现出典型的电双稳态性质，具有良好的电存储性能，开关比大于10⁵，跳变电压约为2V。

[00044477]一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法

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