交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201410833251.8
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 桂林电子科技大学
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所在地: 广西壮族自治区桂林市
本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件,包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层,在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区,高浓度固定电荷区面积占绝缘介质埋层与有源层接触的表面面积的50%-75%,高浓度固定电荷区电荷的浓度为1×1017~1×1018/cm2。本发明生产工艺简单,固定电荷掺杂浓度工艺容差比较大,受高温工艺影响小,与常规CMOS/SOI工艺完全兼容。应用本发明的功率器件,其耐压由于介质埋层电场的增强而大幅提高。
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