交易价格: 面议
所属行业: 检测仪器
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610773807.8
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 西安交通大学
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所在地: 陕西西安市
本发明提供一种GIS盆式绝缘子表面缺陷模型,其特征在于,所述表面缺陷模型包括高压电极和地电极,所述高压电极和地电极之间放置有圆台形环氧块,用以模拟盆式绝缘子材料和结构,所述高压电极、圆台形环氧块和地电极三者紧密接触。本发明解决了现有技术无法针对盆式绝缘子表面存在污秽时进行试验的问题,满足了GIS表面缺陷放电特性研究的需要,为GIS盆式绝缘子表面缺陷放电特性研究开辟了一条崭新路径。
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