交易价格: 面议
所属行业: 专用化学
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201010301123.0
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 哈尔滨工业大学
所在地: 黑龙江哈尔滨市
摘要:硅锗合金薄膜材料的制备方法,它属于硅锗合金薄膜领域。本发明解决了现有工艺制备硅锗合金薄膜存在设备造价高、操作条件苛刻及使用氢气使安全系数降低的问题。本发明方法如下:一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗,然后自然晾干;二、配制电解液;三、采用三电极法进行电沉积,即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。本发明采用三电极法进行电沉积,所需设备造价低,方法简单,容易操作,反应无需使用氢气,提高生产的安全系数。
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