交易价格: 面议
所属行业: 化工生产
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510563596.0
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 哈尔滨工业大学
所在地: 黑龙江哈尔滨市
摘要:一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法,本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高,且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法一、吹洗舱体;二、关舱;三、抽真空;四、原位清洗,即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。
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