X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到天长市科技大市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00046413]一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610060591.0

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 哈尔滨工业大学

所在地: 黑龙江哈尔滨市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法,它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备超长氮化硅纳米材料存在反应条件较为苛刻,导致安全性低,需要催化剂,导致纯度低,设备要求高、工艺复杂、成本高的技术问题。方法一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷;二、热处理,即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线的方法。优点一、于常压下就可以制备出长达数毫米甚至是厘米级级别的超长氮化硅纳米线,且超长氮化硅纳米线呈现直线状;二、操作过程较为简单、安全系数高。本发明主要用于制备超长氮化硅纳米线。

推荐服务:

Copyright  ©  2019    天长市科技大市场    版权所有

地址:滁州高新区经三路

皖ICP备2023004467