[00046489]抗多节点翻转的存储器
联系人： 哈尔滨工业大学
所在地： 黑龙江哈尔滨市
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技术详细介绍
摘要：抗多节点翻转的存储器，涉及集成电路领域。本发明是为了降低甚至消除SEU效应在存储器中的影响。它具有对存储单元发生单节点翻转和多节点翻转时的容错保护功能，它包括两个PMOS存取晶体管以及一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构。所述的一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构（stacked structure），由PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5和P6同NMOS晶体管N1、N2、N3和N4共同组成。它的一个作用是来降低存储单元的功耗。本发明可以对于存储器中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而不依赖于存储器所存储的值。
