X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到天长市科技大市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00047155]高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他化学化工

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710516872.7

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 杭州电子科技大学

进入空间

所在地: 浙江杭州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法,制备方法为先制备油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)和Se/TBP(三丁基膦)前驱溶液;然后取制备好的Cd(OA)2、Zn(OA)2前驱溶液和十八烯在氩气环境下升温至97‑103℃,在此温度下搅拌20‑25分钟,随后升温至280‑320℃停留30‑60秒;随后注入制备好的Se/TBP溶液,并在此温度下反应5‑8分钟后降至室温,得到CdZnSe纳米晶体。本发明制备方法简单、易操作,制备的CdZnSe纳米晶体光学性质优异,其荧光量子产率最高可达60%,荧光峰位大致位于530nm,荧光半高宽约为18nm。且能实现克量级的纳米晶体的制备。

推荐服务:

Copyright  ©  2019    天长市科技大市场    版权所有

地址:滁州高新区经三路

皖ICP备2023004467