[00047990]一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法
技术详细介绍
以Bi4Ti3O12及其掺杂物作为阻变存储器的介质层，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr。采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。
以Bi4Ti3O12及其掺杂物作为阻变存储器的介质层，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr。采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。
