X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到天长市科技大市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00048106]一种平面串联耐高压二极管及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 电气电工

类型: 发明专利

专利所属地:

专利号:CN201911344891.1

交易方式: 完全转让

联系人:

所在地: 天津天津市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

一种平面串联耐高压二极管及其制备方法,所述二极管包括:衬底、浅磷扩散层、深硼扩散层、深磷扩散层、氧化隔离层、电极层和电极焊点。本申请提供的一种平面串联耐高压二极管及其制备方法,采用了Si(i)本征材料,增大了底部电阻,降低了结区外的漏电的发生,降低二极管的反向漏电流;并使用了磷隔离环的设计,减小了二极管边缘漏电,也起到了降低了二极管的反向漏电流的作用;在避免互连电极与二极管短路方面,采用了氧化隔离技术设计;结构设计中,每个单体二极管采用了大面积PN区,降低了二极管的正向导通电阻;通过串联结构将2个或多个二极管首尾连接,增大了反向结区电阻,起到了器件反向高耐压的效果。

推荐服务:

Copyright  ©  2019    天长市科技大市场    版权所有

地址:滁州高新区经三路

皖ICP备2023004467