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一种平面串联耐高压二极管及其制备方法,所述二极管包括:衬底、浅磷扩散层、深硼扩散层、深磷扩散层、氧化隔离层、电极层和电极焊点。本申请提供的一种平面串联耐高压二极管及其制备方法,采用了Si(i)本征材料,增大了底部电阻,降低了结区外的漏电的发生,降低二极管的反向漏电流;并使用了磷隔离环的设计,减小了二极管边缘漏电,也起到了降低了二极管的反向漏电流的作用;在避免互连电极与二极管短路方面,采用了氧化隔离技术设计;结构设计中,每个单体二极管采用了大面积PN区,降低了二极管的正向导通电阻;通过串联结构将2个或多个二极管首尾连接,增大了反向结区电阻,起到了器件反向高耐压的效果。