交易价格: 面议
所属行业: 电子元器件
类型: 发明专利
专利所属地:
专利号:CN201810836291.6
交易方式: 完全转让
联系人:
所在地: 天津天津市
本发明提供了一种重布线层的制造方法、晶圆级封装方法及半导体结构,首先在基底上形成第二介质层,再在所述第二介质层中形成多个暴露出所述焊垫的多通孔结构,接着形成重布线层,所述重布线层覆盖部分所述第二介质层和所述多通孔结构中各通孔的内壁。由于在所述第二介质层中形成多个暴露出所述焊垫的多通孔结构,所述多通孔结构可以减弱所述多通孔结构内的介质层对重布线层的应力,进而避免了重布线开路,提高了封装的质量,使芯片的良率和可靠性进一步提升。
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