[00049049]半导体器件及其制造方法
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技术详细介绍
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法中，通过回刻蚀所述虚拟栅极结构两侧的鳍片，使所述牺牲层短于所述沟道层而在相邻两层沟道层之间形成凹槽，然后在凹槽中形成覆盖牺牲层的间隔侧墙，并在虚拟栅极结构两侧外延生长源漏外延层后去除虚拟栅极结构和牺牲层，以暴露出沟道层，然后形成覆盖所述沟道层的侧壁上的保护侧墙；利用保护侧墙对所述沟道层侧壁的保护来提供工艺空间，以对所述沟道层和所述间隔侧墙进行修剪，通过多次对沟道层和间隔侧墙的修剪，可以形成向所述源漏外延层逐渐变粗的纳米线沟道结构，能够增加沟道的有效宽度以及有效面积，有效降低源漏区的电阻，提高器件的栅控能力以及输出电流特性。
