[00049125]重布线层的制造方法、封装方法及半导体结构
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技术详细介绍
本发明提供了一种重布线层的制造方法、封装方法及半导体结构，包括在基底上形成第一介质层，然后在所述第一介质层中形成第一开口和第二开口，在第一开口和第二开口分别形成顶层金属及支撑结构，接着形成第二介质层，并在所述第二介质层中形成第三开口和第四开口，再形成重布线层。由于第二开口形成有支撑结构，在后续的压焊工艺中，所述支撑结构可以缓解焊丝对第二介质层的应力，避免了在封装工艺中第二介质层破裂，导致封装产生缺陷，提高了产品的良率和可靠性，并且所述第二开口可以设置在基底上的任意位置(不局限于边缘部分)，使压焊形式的封装工艺也可以进行自由布线。
