[00049206]一种GaInAs激光电池外延层及其制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种GaInAs激光电池外延层及其制备方法，属于太阳能电池外延技术领域，所述GaInAs激光电池外延层包括：自下而上依次设置的GaAs衬底、Ga1‑xInxAs缓冲层、Ga1‑xInxAs过充层、背场层、基区层、发射区和窗口层；Ga1‑xInxAs缓冲层的厚度范围为100nm‑4000nm；Ga1‑xInxAs过充层的厚度范围为100nm‑500nm；背场层的厚度范围为50nm‑500nm；基区层的厚度范围为50nm‑5000nm；发射区层的厚度范围为50nm‑1000nm；窗口层的厚度范围为50nm‑1000nm。
