[00049217]一种锡掺杂提高低温烧结铌三铝临界电流密度的方法
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本发明提出一种锡掺杂提高低温烧结铌三铝临界电流密度的方法。将纯Nb粉、纯Al粉和纯Sn粉按原子比例Nb3(Al1‑xSnx)称量，x为0.10～0.35，混合倒入球磨罐中；磨球和混合粉末质量比9～11:1，球磨罐密封；球磨罐装载在球磨机上，转速为350～450rad/min球磨，得到Nb‑Al‑Sn预合金粉末；将预合金粉末压片并真空封入石英管中，将石英管进行烧结，烧结温度800～900℃，烧结完成后随炉冷却得到掺杂Sn的Nb3Al超导体。本发明得到超导体其临界电流密度Jc在1.6×104A·cm‑2～1.6×105A·cm‑2(4.2K，5T)之间，比未掺杂Nb3Al提高1～2个数量级。
