[00049470]隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法
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本发明揭示了一种隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法，所述隔离结构的形成方法包括：提供有源区；在所述有源区上形成前端材料层；图案化所述前端材料层形成开口，所述开口中形成有残留物；以所述开口为基准第一次刻蚀所述有源区形成初始凹槽，所述初始凹槽中形成有凸起，所述凸起位于所述残留物下方；减小所述凸起的宽度，并去除所述残留物；以所述初始凹槽为基准第二次刻蚀所述有源区形成隔离凹槽；以及在所述隔离凹槽中形成隔离结构。于是，本发明中的隔离凹槽是两次刻蚀形成，能够消除刻蚀前端材料层时产生的残留物和由于该残留物导致的有源区凸起缺陷，使得隔离结构正常的形成，确保了隔离结构的质量。
