[00049586]半导体指纹传感器及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种半导体指纹传感器及其制作方法，通过在半导体指纹传感器的像素区域中的第一金属互连层结构的顶层金属层上直接覆盖一保护层。这样，与现有技术相比，本发明形成的半导体指纹传感器的像素区域中，第一金属互连层结构和保护层之间就没有了钝化层，于是，在半导体指纹传感器中就不存在钝化层所产生的电容，即减少了半导体指纹传感器中的噪声电容，可以提高半导体指纹传感器性能。
