[00049644]碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造方法
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技术详细介绍
本发明提供了一种碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造方法，首先在基底上形成第一介质层，再形成暴露出第一电极的第一沟槽，再在第一沟槽中形成碳纳米管，接着形成第二电极，所述第二电极覆盖所述碳纳米管，由于第二电极将所述碳纳米管覆盖住，在后续的膜层淀积和刻蚀的工艺中，可以充当所述碳纳米管的保护层，防止当刻蚀产生偏差或过刻蚀破坏所述碳纳米管侧壁的第一介质层，避免了碳纳米管暴露的问题，提高了器件的稳定性和良率。
