[00049704]半导体垂直结构和半导体器件的制造方法

交易价格： 面议

所属行业： 自动化元件

类型： 发明专利

专利所属地：

专利号：CN201810036773.3

交易方式： 完全转让

联系人：

所在地：天津天津市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供一种半导体垂直结构和半导体器件的制造方法，至少在半导体材料层的表面上覆盖一金属催化剂层后，再以所述图案化掩膜为掩膜，在金属催化剂层的催化作用下对所述半导体材料层进行刻蚀，以形成半导体垂直结构，能够较为精确地控制形成的半导体垂直结构的关键尺寸，改善半导体垂直结构的线条粗糙度，进而提高具有该半导体垂直结构的半导体器件的性能，适用于微米级或纳米级的半导体垂直结构的制造。

[00049704]半导体垂直结构和半导体器件的制造方法

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