[00005409]一种有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法
技术详细介绍
本发明涉及一种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法，属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括：制备具有一定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器；测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据；将所述存储窗口数据进行线性拟合，计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压；根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度；根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差，计算最小隧穿势垒；根据所述最小隧穿势垒和电场强度，计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度。本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。
