[00005527]利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器
技术详细介绍
本发明公开了利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器，其结构式是：G2G1G2G1MG1G2G1G2G1G2G1G2G1，为一维单缺陷磁光光子晶体，其中，G1为厚度0.1210微米的五氧化二钛；G2为厚度0.3454微米的低介电常数超材料；M是厚度4.3462微米的掺铋钇铁石榴石。本发明旨在中心波长1.053微米附近实现克尔旋转角接近45°，能量反射率大于98％，且具有厚度薄(7.2657微米)、层数较少的特征。
